Изображение |
Описание |
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 2800MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 1.28PB | 1.5 млн.. часов (MTBF) | Controller: …
6 190 грн.
|
|
 |
4TB (3725.29 Гб или 3.64 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 6000MB/s; запись: 5000MB/s SLC-Cached; модули памяти: …
6 239 грн.
|
|
 |
4TB ( 3725.29Гб или 3.64Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 2800MB/s SLC-Cached; memory …
7 209 грн.
|
|
 |
4TB (3725.29 Гб или 3.64 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7300MB/s; запись: 7000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 1000k …
8 259 грн.
|
|
|
|
|
 |
4TB ( 3725.29Гб или 3.64Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 7000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
9 489 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7000MB/s | запись: 7000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
9 890 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 7000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 4PB | 1.8 …
10 190 грн.
|
|
 |
4TB ( 3725.29Гб или 3.64Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7300MB/s; запись: 7000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
10 849 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 7000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 4PB | 1.8 …
12 690 грн.
|
|
|
|
|
 |
4TB (3725.29 Гб или 3.64 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4); чтение: 14800MB/s; запись: 14000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
12 999 грн.
|
|