Изображение |
Описание |
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2100MB/s | запись: 1700MB/s | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 240TB | 2 млн.. часов (MTBF) | Protocol: NVMe 1.3 | Power …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7200MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 750k/1000k | модули памяти: TLC | TBW: 700TB | 1.6 млн.. …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 1800MB/s | запись: 1800MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 220k/220k | модули памяти: 3D-NAND QLC, Micron, 64 Layer (Generation 2) | TBW: 400TB …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7400MB/s | запись: 5500MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 350k/720k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
2 290 грн.
|
|
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3100MB/s | запись: 1400MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 330k/280k | модули памяти: 2D-NAND MLC, Samsung | 1.5 млн.. часов (MTBF) …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 5000MB/s | запись: 4400MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 750k/700k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4) | TBW: 1.8PB | Reliability …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3100MB/s | запись: 2200MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 300k/200k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 400TB | 2 млн.. …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7500MB/s | запись: 6300MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1100k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 5000MB/s | запись: 3400MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 450k/360k | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 325TB | 2 млн.. …
2 290 грн.
|
|
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2050MB/s | запись: 1650MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 171k/143k | модули памяти: 3D-NAND TLC | 1.5 млн.. часов …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 3550MB/s | запись: 2700MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 340k/550k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 560TB | 1.5 млн.. часов …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2200MB/s | запись: 290MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 111k/12k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 248TB | 2 млн.. …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 3900MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 450k/900k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 500TB | 1.8 …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2100MB/s | запись: 1650MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 290k/260k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 320TB | Protocol: NVMe 1.3 | Power consumption: …
2 290 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 2200MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 140k/480k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5) | …
2 290 грн.
|
|