Изображение |
Описание |
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 5150MB/s; запись: 4900MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
1 979 грн.
|
|
 |
250GB ( 232.83Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3200MB/s; запись: 1000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 190k …
1 979 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7100MB/s; запись: 6000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 1000k …
1 979 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
1 980 грн.
|
|
|
|
 |
500GB ( 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 1900MB/s; запись: 950MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 90k …
1 980 грн.
|
|
 |
128GB ( 119.21Гб); SSM; M.2 2242; M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s); чтение: 560MB/s; запись: 510MB/s; IOPS 4K: 85k lesend, 85k …
1 980 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 6600MB/s | запись: 5000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 630k/700k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7400MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 750k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s) | чтение: 560MB/s | запись: 520MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 90k/82k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 400TB | 1.75 млн.. …
1 990 грн.
|
|
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s) | чтение: 520MB/s | запись: 460MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 80k/60k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 420TB | 2 млн.. …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 3000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 460k/450k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5) | TBW: 600TB | …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7000MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 900k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3100MB/s | запись: 1200MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 200TB | 2 млн.. часов | кеш: not specified …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4950MB/s | запись: 4000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 620k/550k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4) | TBW: 1.8PB | …
1 990 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 900k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 1PB | 1.8 …
1 990 грн.
|
|