Изображение |
Описание |
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7100MB/s; запись: 5800MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
3 049 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 5000MB/s; запись: 3300MB/s SLC-Cached; memory …
3 059 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2230; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4750MB/s; запись: 4300MB/s; IOPS 4K: 450k …
3 059 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4700MB/s; запись: 1800MB/s; IOPS 4K: 180k …
3 059 грн.
|
|
|
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2100MB/s; запись: 1700MB/s; модули памяти: …
3 059 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7300MB/s; запись: 6300MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
3 069 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 3300MB/s SLC-Cached (1700MB/s …
3 089 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3000MB/s; запись: 2000MB/s; модули памяти: 3D-NAND TLC …
3 089 грн.
|
|
 |
1TB ( 931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7300MB/s; запись: 6000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 750k …
3 089 грн.
|
|
|
|
|
 |
1TB (931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280-S3; M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4); чтение: 10000MB/s; запись: 7900MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
3 089 грн.
|
|
 |
1TB (931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280-D2; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7400MB/s; запись: 7000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
3 089 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7000MB/s | запись: 5000MB/s SLC-кешd (2000MB/s TLC) | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND …
3 090 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2230 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4800MB/s | запись: 4800MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 850k/1100k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
3 090 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 800k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
3 090 грн.
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3430MB/s | запись: 3000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 515k/560k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4) | TBW: 2PB | …
3 090 грн.
|
|