Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Украина

Изображение Описание Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB 319 грн. Samsung DIMM 2GB, DDR2-800, CL6 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 800MT/s (800 МГц эффективная - основанная на 400 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB; JED 369 грн. Samsung UDIMM 2GB, DDR2-800, CL6 Форм-фактор: DDR2 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 800 MT/с; Модули: 1x 2GB; Спецификация JEDEC: PC2-6400U; Напряжение: 1.8V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: ... 379 грн. Samsung SO-DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 SO-DIMM 200-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 51 409 грн. Samsung DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J 429 грн. Samsung UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11, 1R Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC3-12800U; Напряжение: 1.5V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля... 439 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G 439 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G 469 грн. Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J 469 грн. Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB 469 грн. Samsung DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 512MB 469 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 1RX16 Форм-фактор: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300S; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота моду 499 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G 529 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 539 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2RX8 Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота мод... 569 грн.