Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Украина

Изображение Описание Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; 589 грн. Samsung FB-DIMM 2GB, DDR2-667, CL5, ECC Тип: DDR2 FB-DIMM 240-Pin, ECC; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); моду... 619 грн. Samsung FBDIMM 2GB, DDR2-667, CL5, ECC Форм-фактор: DDR2 DIMM 240-Pin; Тип модуля: FBDIMM (Fully-Buffered); Скорость: 667 MT/с; Модули: 1x 2GB; ECC: Sideband ECC; Спецификация JEDEC: PC2-5300F; Напряжение: 1.8V (нормативное напряжение JEDEC)... 659 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 679 грн. Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC Тип: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); моду 739 грн. Samsung DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 779 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 779 грн. Samsung DIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (внутренняя); модули: 779 грн. Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 1RX8 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля... 789 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 809 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22, 1RX8 Форм-фактор: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 3200 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC4-25600S; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота моду 819 грн. Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: ... 899 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 899 грн. Samsung DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x 899 грн. Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX16 Форм-фактор: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2400 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC4-19200S; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота моду 909 грн.